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碳化硅單晶爐系統TDL85P
編號:SN20150801141615675
類別:碳化硅晶體生長爐
  • 產品概述
  • 規格參數
  • 服務支持

    設備用途
    主要用于半導體和LED行業。采用中頻感應加熱方式,物理氣相傳輸法生長優質光學晶體。


    設備組成
    本系統由沉積真空室、感應加熱臺系統、進樣室、自動送樣系統、氣路系統、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

     

    技術指標

     

    型號 

    TDL85P 

    爐內真空度

    極限真空

    9.0×10-5Pa

    拉伸機構運動時

    1.0×10-4Pa

    系統漏率

    停泵關機24小時后真空度≤5Pa

    爐體

    沉積室

    筒形立式結構,尺寸Φ900×1000 mm

    進樣室

    尺寸Ф300×300mm

    自動送樣機構

    慢速檔速率范圍

    0.06~6㎜/h

    檔速率范圍

    ≥50㎜/min

    轉速范圍

    0~30rpm

    有效行程

    500㎜

    額定總功率

    35KW

    循環水用量

    3m3/h

    真空配置

    分子泵、羅茨泵、機械泵、插板閥

    占地面積

    2700×1200×3000mm3(含電源)

     


     

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